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专利名称：衬底处理装置专利类型：发明专利
发明人：田边润一,森谷敦,石桥清久申请号：CN201010132357.7申请日：20100310公开号：CN101834119A公开日：20100915
摘要：本发明提供一种衬底处理装置，能够抑制在成膜气体供给喷嘴内壁上形成Si薄膜。通过设在处理室内的涂布气体供给喷嘴供给涂布气体而对处理室内的石英部件进行涂布，通过设在处理室内的成膜气体供给喷嘴供给成膜气体而在衬底上形成外延膜。
申请人：株式会社日立国际电气
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
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