大学物理实验讲义——用稳恒电流场模拟静电场

1、知识介绍

在科学研究及实际生产中，常常需要确定带电体周围的静电场分布，这些任意形状的带电体在空间的电场分布（即电场强度和电势的分布）比较复杂，一般很难写出它们的数学表达式，理论计算非常困难。例如在电子管、示波管、电子显微镜以及各种显示器内部电极形状的设计和研究制造中，都需要了解各电极或导体间的电场分布情况，采用数学方法进行计算十分复杂，一般通过实验的手段来确定。

但直接对静电场进行测量也是相当困难，对于静电场，测量仪器只能采用静电式仪表，而实验中一般采用磁电式仪表，有电流才有反应。静电场中无电流，磁电式仪表不会起作用，且一旦将仪器放入静电场中，探针上会产生感应电荷。这些电荷所产生的电场将叠加到原来的待测静电场中，即测量仪器的介入会导致原静电场分布发生畸变。

为避免数学方法的复杂性以及直接测量的不现实性，实验中采取模拟法测绘静电场。模拟法就是采用一个与待测对象有相似的数学形式或物理规律的模型或装置来代替实际的待测对象，且该模型或装置在实验室条件下较容易实现。相似模型中各个变量与原型中相应变量有相似关系，既包括几何形状相似，也包括质量、时间、力、温度、电流、电场等的相似。

图7-1 垂直风洞模拟空中跳伞 图7-2 汽车模拟风洞实验

模拟法一般分为物理模拟和数学模拟两大类。物理模拟具有生动形象的直观性，并可使观察的现象反复出现，尤其是对于那些难以用数学表达式准确描述的对象进行研究时，常常采用物理模拟方法。数学模拟是指模型和原型遵循相同的数学规律，满足相似的数学方程和边界条件。

本实验模拟构造了一个与原静电场完全一样的稳恒电流场，当用探针去测模拟场时，原

场不受干扰，因此可间接地测出模拟场中各点的电势，连接各等电势的点作出等势线。根据电场线与等势线的垂直关系，描绘出电场线，这样就可以由等势线的间距确定电场线的疏密和指向，即可形象地了解电场情况。理论和实验都能证明，只要电极的形状和大小，相对位置和边界条件一致，这两个场的分布应该是一样的。即，静电场的电场线和等势线与稳恒电流场的具有相似的分布，所以测定出稳恒电流场的电势分布也就求得了与它相似的静电场的电场分布。

2、实验目的

1、学习用稳恒电流场模拟法测绘静电场的原理和方法。 2、加深对电场强度概念的理解。

3、描绘实验所提供的不同电极的静电场等势线及电场线。

3、实验原理

本实验将稳恒电流场作为静电场的相似模型，用稳恒电流场中的电流线代替静电场中的电场线，用稳恒电流场中的电势分布模拟静电场的电势分布。

稳恒电流场中，电流是大量电荷定向运动的结果，运动电荷产生的电场不可能是静电场，那么为什么稳恒电流场可以模拟静电场呢？这是由于静电场的基本规律如高斯定理、环路定理等对稳恒电流场同样适用。但是，静电场要求的条件比稳恒电场的条件更高。静电平衡条件要求电荷不流动，即没有电流，静电场中导体内部的电场强度为零。而稳恒电流只要求电荷分布不随时间变化，即稳恒条件下的导体内部的电场强度可以不为零。

当电流场中的电极与静电场中的导体有相同的形状和位置，并且有相同的电势差时，这两种电场具有相同边界条件的相同方程，有相同的解，即有相同的电场分布。下面以无限长同轴柱面的静电场与稳恒电流场为例进行证明。

1) 无限长同轴柱面的静电场分布

（a） （b）

图7-3 无限长同轴圆柱面的静电场分布

圆柱形导体和圆柱壳导体同心放置，分别带有等值异号电荷。其间为真空，由高斯定理可知，其电场线沿径向由A向B辐射分布。下面以任一垂直于轴的横截面M上的电场分布为例进行分析。 如图7-3（b）所示，设横截面小圆的电势为Rx，半径为a，大圆的电势为Vb，半径为b，则电场中距离轴心半径为r处的各点电场强度为 E 20r式中，为A（或B）的电荷线密度，其电势Vr可表示为： VrVa令rb时，Vb0，则 raEdrVarln （7-1） 20raV a （7-2）b20lna

代入式（7-1） 得 br （7-3） VrVa blnaln

图7-4 无限长通电同轴圆柱面的稳恒电流场分布

若A、B间不是真空，而是充满电阻率为的一种不良导体，且A和B分别与直流电源的正极和负极连接，如图7- 4所示，A、B间形成径向电流，建立了一个稳恒电流场。同样分析垂直于轴的横截面，取厚度为的同轴圆柱片来研究。半径为rrdr之间的圆柱片的径向电阻为 dR（7-4） 则半径r到b之间的圆柱片的电阻为 Rrbdr

2rbln （7-5） 2r若Vb0，则径向电流为 IVa2Va （7-6） bRablna距中心r处的电势为 br （7-7） Vr'IRrbVablnaln上式与式（7-3）具有相同的形式，说明稳恒电流场与静电场的电势分布是相同的，而 E'dV'dVE drdr因此，稳恒电流的电场与静电场的分布也相同。 由于实际工作中所遇到的带电体情形比较复杂，因此并不是每种带电体的静电场及模拟场的电势分布函数都能计算出来，如本实验中点条状电极电场、聚焦电极电场的电势分布就不能得出具体的解析解，只有在电导率分布均匀、几何形状对称规则的特殊带电体的场分布，

才能用理论严格计算。上面只是通过一个特例，证明了用稳恒电流场模拟静电场的可行性与等效性。

2) 模拟静电场的实验条件

在实验室中，电流场很容易实现，但在用稳恒电流场模拟静电场时，必须注意相似模型满足的相似性条件，即在搭建实验装置和进行模拟实验时应注意以下几点：

 稳恒电流场中的电极形状应与被模拟的静电场中的带电体几何形状相同；

 静电场中带电导体的表面是等势面，电流场的电极表面也应是等势面。所以，稳恒电流

场中的导电介质应是不良导体且电导率分布均匀，并满足σ中的电极（良导体）的表面也近似是一个等势面。  模拟所用电极系统与被模拟静电场的边界条件相同。

利用稳恒电流场与相应的静电场在空间形式上的一致性，在确保电极形状一定，电极电势不变，空间介质均匀的情况下，在任何一个考察点，均应有“U稳恒=U静电”或“E稳恒=E静电”。 3) 其他类型电极静电场的模拟  无限长通电平行直导线的电场模拟

电极

>>σ

导电质

才能保证电流场

 平行板电容器的电场模拟

 无限长通电直导线与平板的电场模拟

 聚焦电极的电场模拟

4、实验仪器

EQC-3型导电微晶静电场描绘仪箱（含10V，lA直流稳压电源、电压表、导电玻璃、固定支架、同步探针等），如图7-5所示。

图7-5 EQC-3型电场描绘仪

静电场描绘仪的导电玻璃两边有不同形状的电极板，电极间充满电导率远小于电极且各向均匀的导电介质。本实验有两种静电场描绘仪箱，每种描绘仪箱装有两个不同形状的电极。共有四种电极，如图7-6所示，分别是同轴圆柱的电场（a），聚焦电场（b），点状非均匀电场（c），点条状非均匀电场（d）。

(a) (b) (c) (d)

图7-6 不同形状的电极

导电玻璃上方固定支架的两端分别为电势探针（圆滑，端点为滚珠）和压痕探针（尖锐，按压可在坐标纸上留下痕迹）。实验时，电位探针放在导电玻璃的上方，压痕探针放在记录纸的上方。注意移动支架时，要使左、右探针保持在一直线上。当导电玻璃上方的电势探针找到待测点后，按压另一端的压痕探针在记录纸上留下一个对应的标记。移动电势探针在导电玻璃上找出若干电势相同的点，从而描绘出等势线。

图7-6 压痕探针（尖锐） 图7-7 电势探针（圆滑）

5、注意事项

1) 勿将压痕探针在导电玻璃上划动，按压探针打点时，注意不可用力过猛，以免损坏导电

玻璃。

2) 为了更精确地描绘等势线的形状，所选取的等势点应该均匀分布。

3) 由于导电介质不均匀、电极上氧化膜的存在、电极安装偏离圆心等因素，会导致测量结

果与理论结果有差别，但要如实记录等势点的位置。

4) 测量时，电势探针每次应该从外向里或者从里向外沿一个方向移动，测量一个点时不要

来回移动测量，否则会导致打孔出现偏差。

5) 等势线与电场线垂直，场强方向由高电势指向低电势。每条等势线必须注明相应电压值。 6) 实验结束时关闭电源即可，不必关箱盖，以免压坏电源线及液晶屏。

6、实验内容

1) 用静电场描迹仪测绘同轴圆柱体中间区域的电场分布。

 将电势探针置于导电玻璃电极上,另一边垫好胶版和坐标纸，并用4个小磁铁在周边固

定住坐标纸。  开启电源开关K4。

 直接测量前的校准：将K1打向“直接”、K2打向“校正”，调节电压调节旋钮至10V；

然后将K2打向“测量”。

 移动电势探针，通过支架与电势探针相连的压痕探针将同步移动。液晶屏上的电压读数

随着电势探针的运动而变化，当读数显示为0V时，轻轻按下压痕探针并旋转一下，在坐标纸上清晰打点。找出0V等势线上的15-20个点，并打点在坐标纸上。

 继续用电势探针探测读数为2V、4V、6V、8V、10V的若干等势点，同时用压痕探针

在坐标纸上打出相应的点。同样的，每条等电势线需打15-20个点。

 用光滑的曲线将等势点连接成等势线，并在等势线旁标出其电势，根据电场线与等势线

正交的原理，画出电场线。

 根据所描绘的同轴圆柱的电场分布，量出各环形等势线的半径r实，填入数据表格。

 由式（7-7）可知，电势为Vr的等势线的半径的理论值r理表示为

ar理b()Vr/Vb （7-8）

将横截面上小圆半径横截面小圆半径a、大圆的半径b、距离轴心半径为r处的电势Vr及AB间的总电势V代入上式可得r理。

 数据表格中已给出不同等势线的r理，将你所测得的r实与之比较，计算相对误差，并分

析误差原因。

表7-1 数据表格

Vr（v） r理 (cm) r实 (cm) 0 7.50 2.0 4.36 4.0 2.54 6.0 1.48 8.0 0.75 10.0 0.50 r理r实r理 误差原因 分析 2) 改换同一静电场描绘仪箱导电玻璃上的另一电极（更换左右电极板只需将K5打向相应

的方向），描绘出对应的等势线及电场线，方法同前。

7、分析思考

1) 什么叫相似模拟？为什么用稳恒电流场可以模拟静电场的电场分布？

2) 如果电源电压增加一倍，等势线和电场线的形状是否发生变化？电场强度和电势分布

是否发生变化？为什么？

3) 如果电极和导电介质接触不良或导电介质不均匀会对实验结果有何影响？为什么？ 4) 本实验所用的EQC-3型静电场描绘仪箱还提供了另一种测量方法-检零法，具体使用

方法为：测量前将K1打向“检零”、K3打向“设定”，调节设定调节旋钮至需要的量值；然后将K3打向“检零”即可测量。这样在测量时，当液晶显示器的读数显示为零时，就表明电势探针所在的位置即为所需记录的等势点。试比较检零法和前面所用的直接测量法。

图7-8 直接测量法示意图 图7-9 检零法示意图

8、拓展阅读

静电场在工农业生产与日常生活中有很多的应用，如利用静电感应、高压静电场的气体放电效应和原理等，可实现多种加工工艺。

1) 静电喷涂

静电喷涂主要用于汽车、机械、家用电器等行业。 利用静电吸附作用将聚合物涂料微粒涂敷在接地金属物体上，然后将其送入烘炉以形成厚度均匀的涂层。电晕放电电极使直径 5～30微米的涂料粒子带电，在输送气力和静电力的作用下，涂料粒子飞向被涂物，粒子所带电荷与被涂物上的感应电荷之间的吸附力使涂料牢固地附在被涂物上。一般经2～3秒，涂层即可达40～50微米厚。

工作时，涂料微粒部分接负极，工件接正极并接地，在高压电源的高电压作用下，喷（或喷杯、喷盘）的端部与工件之间就形成一个静电场。涂料微粒所受到的电场力与静电场的电源以及涂料微粒的带电量成正比，而与喷和工件间的距离成反比，当电压足够高时，喷端部附近区域形成空气电离区，空气激烈地离子化和发热，使喷端部锐边或极针周围形成一个暗红色的晕圈，在黑暗中能明显看出，这时空气产生强烈的电晕放电。

涂料经喷嘴雾化后喷出，被雾化的涂料微粒通过口的极针或喷盘、喷杯的边缘时因接触而带电，当经过电晕放电所产生的气体电离区时，将再一次增加其表面电荷密度。这些带负电荷的涂料微粒在静电场作用下，向带异号电荷的工件表面吸附，沉积成均匀的涂膜。

图7-10 静电喷涂设备 图7-11 汽车静电喷漆

2) 静电复印

静电复印是利用光电导敏感材料在曝光时按影像发生电荷转移而存留静电潜影，经一定的干法显影、影像转印和定影而得到复制件。所用材料为非银感光材料。静电复印有直接法和间

接法两种。前者将原稿的图像直接复印在涂敷氧化锌的感光纸上，又称涂层纸复印机；后者将原稿图像先变为感光体上的静电潜像，然后再转印到普通纸上，故又称普通纸复印机。按显影剂形态是干粉还是液体又可分为干式和湿式两类。目前世界各国生产的以干式间接法静电复印机为主。常用的复印材料有氧化锌、硒、硫化镉等无机光电导材料，以及聚乙烯咔唑（PVK）、三硝基芴酮（TNF）等有机光电导材料。

静电复印过程为：首先使敏感层均匀充电；然后用原稿进行反射曝光；由于光照部位光电导层电荷密度的差异而形成静电潜像，经热塑性的调色剂作覆盖干法显影处理（显影）；将白纸覆在敏感层上再次充电使影像转移到纸上（转印）；经瞬时加热使调色剂固定在纸上（定影）而得到复印件。静电复印体系同过去的湿法显影复印技术相比有显著的优点：简便，迅速，清晰，对操作人员无污染。

静电复印技术近年来得到了很大的发展，现代的静电复印机具有很高的复印速率，可扩印和缩印，也可复印彩色原件。它满足了现代社会对于信息记录和信息显示的需要。静电复印与现代通信技术以及电子计算机技术和激光技术等结合起来，已成为信息网络中的一个重要组成部分。在近距离或远距离传输过程中作为读取和记录信息的终端，是办公自动化中的一环。

图7-12 复印机及基本工作原理

3) 农业应用

静电场在农业生产中有着不可替代的作用，使用高压静电场技术可以在一定程度上培育出优良的品种，有效提高农作物的产量。当把植物的种子置于高压静电场中处理后，其中的脱氧核苷酸链很容易发生重排，从而导致DNA上的基因发生突变，这样培育出来的种子就会产生许多自然界中没有的性状。由于基因突变的不定向性，在这些性状中，大部分是对植物有害的，但也有一些是我们所需要的优良性状。通过培育、筛选和杂交等手段便可以挑选出产量高的农作物。

高压静电场对于植物的光合作用也有着相当大的影响，在静电场作用下，叶片的光合作用速率和呼吸速率都明显高于对照组，而且光合速率的增加幅度要比呼吸速率增加的幅度要大。静电场下叶片的叶绿素总量比对照组高，还有研究表明，静电场也能使叶片的可溶性蛋白的含量明显增加。另外，还可以通过静电场的作用预防植物的病虫害。

图7-13 植物全生育期静电场处理工艺流程