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专利名称：一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方
法
专利类型：发明专利
发明人：舒国阳,代兵,朱嘉琦,王杨,杨磊,韩杰才申请号：CN201510199722.9申请日：20150425公开号：CN104775154A公开日：20150715
摘要：一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效的问题，本发明所述方法包括步骤如下：金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝，确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低，且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝，实现金刚石样品表面温度可控，使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态，保证了金刚石样片表面水平，与等离子体球均匀接触，保证了温度场及碳源密度的均匀性，使得生长效果更好。
申请人：哈尔滨工业大学
地址：150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨龙科专利代理有限公司
代理人：高媛
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