（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN2019109246.X （22）申请日 2019.09.27 （71）申请人 北京大学
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
（10）申请公布号 CN110752293A
（43）申请公布日 2020.02.04
（72）发明人 蔡一茂;康健;王宗巍;凌尧天;喻志臻;陈青钰;鲍霖;吴林东;黄如 （74）专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 贾晓玲
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种双向阈值开关选择器件及其制备方法
（57）摘要
本发明提供一种双向阈值开关选择器件及
其制备方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明利用势垒层薄膜和阈值开关特性的薄膜叠加效应，可以实现对选择管器件的电流‑电压特性进行优化，使该器件展现出对称双向阈值开关选择的特性。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现双向阈值开关选择管器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。
法律状态
法律状态公告日
2020-02-04 2020-02-04 2020-02-28
公开 公开
实质审查的生效
法律状态信息
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权利要求说明书
一种双向阈值开关选择器件及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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