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专利名称：闪存及其操作方法专利类型：发明专利发明人：杨光军
申请号：CN201410255397.9申请日：20140610公开号：CN104538398A公开日：20150422
摘要：本发明公开了一种闪存，电源电压为闪存供电，闪存的闪存阵列结构由多个闪存单元结构排列组成。闪存单元结构包括第一源漏区、第二源漏区，在沟道区的表面上方形成有第一控制栅、字线栅和第二控制栅，第一控制栅和所述第二控制栅中分别包括有用于存储电荷信息的浮栅，第一控制栅和第二控制栅在字线栅两侧呈对称结构。在对闪存阵列结构中的一个闪存单元结构进行读取操作时，未被读取的位线都连接到电源电压，通过未被读取的位线的寄生电容组成电源电压的去耦电容，通过去耦电容去除电源电压上的噪声干扰。本发明还公开了一种闪存的操作方法。本发明不需要增加额外的电源电压的去耦电容的面积，从而能减少整个闪存芯片的面积，降低芯片成本。
申请人：上海华虹宏力半导造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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